Samsung empieza a enviar muestras de su memoria HBM4E de 12 capas a los grandes clientes

Samsung lleva meses consolidando su posición en el mercado de memoria de alto ancho de banda para inteligencia artificial, y acaba de dar un paso relevante en esa dirección: la compañía ha comenzado a enviar muestras de su nueva memoria HBM4E de 12 capas a sus principales clientes a escala global. El objetivo es iniciar las pruebas de validación con esos clientes antes de arrancar la producción en masa, que quedará condicionada a los resultados de esa fase de testing.

El movimiento llega en un momento en el que la demanda de memoria HBM no deja de crecer, impulsada por el despliegue masivo de infraestructura para el entrenamiento e inferencia de modelos de inteligencia artificial. Samsung no es la única empresa en esta carrera, pero sí una de las que más recursos está dedicando a avanzar en la hoja de ruta de la próxima generación de este tipo de memoria.

Qué aporta HBM4E respecto a la generación anterior

La HBM4E de 12 capas de Samsung entrega una velocidad estable de 14 gigabits por segundo (Gbps) por pin, con capacidad de escalar hasta los 16 Gbps. Frente al producto HBM4 anterior, la nueva generación ofrece más de un 20 % de mejora en rendimiento, y puede alcanzar hasta 3,6 terabytes por segundo (TB/s) de ancho de banda de memoria por stack. Para los sistemas de IA que dependen de mover grandes volúmenes de datos entre la memoria y los procesadores, esa cifra es directamente relevante: más ancho de banda significa mayor velocidad de procesamiento en tareas como el entrenamiento de redes neuronales o la inferencia en tiempo real.

Más allá del rendimiento bruto, Samsung ha trabajado en eficiencia energética y térmica. HBM4E entrega un 16 % más de eficiencia energética que la generación anterior y una mejora de más del 14 % en resistencia térmica. En centros de datos con cargas de trabajo intensivas que operan de forma continua, reducir el consumo y mejorar la gestión del calor tiene un impacto directo tanto en los costes operativos como en la densidad de computación que se puede instalar en un mismo espacio.

Proceso de fabricación y capacidades

La HBM4E utiliza un proceso DRAM de clase 10 nanómetros de sexta generación (1c) y un die base lógico de 4 nm fabricado internamente. En su versión de 12 capas, la capacidad es de 48 GB por stack. Samsung tiene previsto ampliar la línea con configuraciones de 32 GB (8 capas) y 64 GB (16 capas), en función de las necesidades específicas de sus clientes. Esta flexibilidad en las configuraciones es relevante en el mercado de aceleradores de IA, donde diferentes arquitecturas y casos de uso requieren distintos equilibrios entre capacidad, ancho de banda y coste.

La compañía ya presentó esta tecnología en la conferencia NVIDIA GTC de marzo de 2026, donde mostró las capacidades de HBM4E ante la comunidad de desarrolladores y fabricantes de hardware para IA. Esa presentación fue un primer aviso de que el producto estaba avanzando; el inicio de los envíos de muestras es el siguiente escalón en el proceso hacia la producción comercial.

El camino hacia la producción en masa

Antes de que HBM4E llegue a los sistemas de producción de los grandes clientes, hay que superar la fase de pruebas y optimización. Samsung ha recibido una respuesta positiva de sus clientes con la generación HBM4, especialmente en lo relativo al rendimiento y la eficiencia energética. Esa experiencia previa facilita la transición, pero el proceso de validación es obligatorio para cualquier componente que vaya a integrarse en sistemas de misión crítica.

Los comentarios recibidos durante la fase de muestras de HBM4E serán los que determinen si el producto puede entrar en producción en masa. No hay una fecha pública confirmada para ese salto, aunque la lógica del sector sitúa ese momento en los próximos meses si las pruebas transcurren sin incidencias relevantes.

El mercado HBM y la posición de Samsung

El mercado de memoria HBM es uno de los segmentos de mayor crecimiento dentro del sector de semiconductores, y Samsung compite en él directamente con SK Hynix y Micron. SK Hynix ha tenido una ventaja notable en los últimos trimestres, siendo proveedor de la mayor parte de la memoria HBM3E que equipa las GPU H100 y H200 de NVIDIA. Samsung, que fue el primero en comenzar la producción en masa de HBM4 a principios de este año, busca con HBM4E recuperar terreno en el segmento de mayor rendimiento.

La apuesta de Samsung en este mercado no es solo tecnológica: la compañía ha realizado inversiones preventivas en infraestructura de fabricación para poder escalar la producción rápidamente cuando sea necesario. Esa preparación anticipada es un elemento diferenciador en un mercado donde la capacidad de entregar volumen con rapidez puede ser tan importante como las especificaciones técnicas del producto.

La HBM4E, con su combinación de mayor velocidad, mayor eficiencia energética y mejor gestión térmica, está diseñada para los centros de datos de próxima generación que afrontarán cargas de trabajo de IA cada vez más exigentes. El inicio de los envíos de muestras marca el comienzo de la cuenta atrás hacia su disponibilidad comercial.

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